南京大學離子束刻蝕系統（IBE）項目中標結果處理，北京埃德萬斯離子束技術研究所斬獲價值358萬元的訂單。下面介紹一下離子束刻蝕系統

離子束刻蝕系統是一種利用高能離子束對材料表面進行物理轟擊，實現納米級精度刻蝕的工藝試驗儀器，其核心原理、系統組成、技術特點及應用領域如下：

一、核心原理

離子束刻蝕通過電離惰性氣體（如氬氣、氪氣、氙氣）生成等離子體，利用柵極引出加速離子束，以物理濺射方式剝離材料表面原子。高能離子轟擊靶材時，能量傳遞至表面原子，當原子積累的能量超過其結合能時，脫離固體表面形成濺射，從而實現刻蝕。該過程為純物理過程，無化學反應參與，可避免化學刻蝕導致的掩膜下底切現象，適用于高精度亞微米級圖形制備。

二、系統組成

離子束刻蝕系統通常由以下核心模塊構成：

離子源：產生高能離子束的核心部件，常見類型包括ECR型、RF型等，支持惰性或活性氣體電離。

真空系統：由分子泵、機械泵及真空計組成，確保刻蝕環境的高真空度（極限真空度可達8.5×10?? Pa），減少氣體分子對離子束的干擾。

工藝腔室：集成基板支架、離子束引出裝置及溫度控制系統，支持基板旋轉、傾斜及冷卻，保障刻蝕均勻性。

氣路系統：配備質量流量計，精確控制反應氣體流量，維持腔室壓力穩定（工作壓強范圍1×10?? Pa至1.3×10?? Pa）。

電源與電氣系統：提供離子源加速電壓（300-2000V連續可調）、束流密度（0.16-0.20mA/cm?）及離子能量（100-1000eV）的精準控制。

三、技術特點

高精度與高分辨率：刻蝕線條寬度可達納米級，側壁角度偏差≤1.5°，深度均勻性波動±3%以內，滿足亞微米級圖形轉移需求。

多材料適應性：可刻蝕金屬（如Ni、Cu、Au）、半導體（如Si、GaAs）、陶瓷（如SiO?、TiO?）及聚合物等材料，支持硬質薄膜加工。

工藝靈活性：離子能量與束流密度獨立可控，支持物理刻蝕（IBE）與化學輔助刻蝕（CAIBE）模式切換，適應不同材料與工藝需求。

高穩定性與長壽命：采用高穩定性設計，如水冷系統維持基板溫度（10-25℃），防止圖形畸變，保障長期運行精度。

四、應用領域

微納光學加工：用于制備衍射光學元件、全息光柵等，通過復合工藝（如Ar離子束預刻蝕與CHF反應刻蝕）優化光柵掩模占寬比與槽深均勻性。

半導體制造：支持Ⅲ-Ⅴ族化合物及硬質薄膜處理，如減薄石英晶體、制作微電子器件結構等。

航空航天：實現高精度材料加工與微結構制作，如傳感器件表面處理、光學元件拋光等。

科研領域：在物理學研究中用于微結構光電器件樣品制備，如聲表面波器件、磁泡儲存器等。

一、項目編號：GZH2502230（JSHC-2025060430A3）（招標文件編號：GZH2502230（JSHC-2025060430A3））

二、項目名稱：南京大學離子束刻蝕系統（IBE）

三、中標（成交）信息

供應商名稱：北京埃德萬斯離子束技術研究所股份有限公司

供應商地址：北京市海淀區地錦路33號院1號樓1層01

中標（成交）金額：358.0000000（萬元）

四、主要標的信息